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我国采购集成电路产品迫切,要求光刻胶技术不断突破

   来源:data.ltmic.com   评论:0 点击:

       首先我们了解光刻胶的应用原理:光刻胶是利用化学反应进行图像转移的媒体,是由感光树脂、光引发剂、添加剂和 溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻胶中,感光树脂是关键组分,感光树脂经过光罩后,在曝光区能很快的发生光固化反应,使得材料的物理性能, 特别是溶解性、亲和性等发生明显变化。经过适当溶剂处理,溶去可溶性部分,便可以得到所需图像。
       之所以说光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料,而且是代表整个半导体产业发展水平的关键核心材料。是因为光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。据悉,光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40-60%。
       半导体集成电路应用技术对光刻技术发展的要求:光刻技术的不断深入发展,使得半导体工业集成电路的尺寸越来越小,集成度越来越高,并能够按照摩尔定律向前发展。集成电路水平已由微米级(2μm-1μm)、亚微米级(1-0.35μm)、深亚微米级(0.35μm以下)、纳米级(90-22nm)甚至进入14-7nm阶段。对光刻胶分辨率等性能要求不断提高,光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线(436nm)光刻,H线(405nm)光刻,I线(365nm)光刻,到深紫外线DUV光刻(KrF248nm和 ArF193nm)、193nm浸没式加多重成像技术(32nm-7nm),再到极端紫外线(EUV, <13.5nm)光刻的发展,甚至采用非光学光刻(电子束曝光、离子束曝光),以相应波长为感光波长的各类光刻胶也随之产生。但目前,KrF/ArF仍是主流的加工材料。
       从全球光刻胶市场发展来看,目前,全球半导体光刻胶的核心技术基本被日本和美国万博登录网页所垄断,包括JSR、信越化学、陶氏化学、TOK、住友化学、 旭化成、日立化成等。具体来看,全球市场中的光刻胶28%从日本JSR株式会社采购;21%从日本东京应化采购;15%从美国罗门哈斯采购;13%从日本信越化学采购;10%从日本富士电子采购;剩余13%的比重从其他万博登录网页采购。
       然而我国国内光刻胶研究起步较晚,我国国内能够生产半导体光刻胶的厂商有北京科华和苏州瑞红,此外参与半导体的生产和研发的还有科院化学所、 潍坊星泰克、徐州博康等。在g/i光刻胶领域,目前自给率10%左右,苏州瑞红和北京科华有望进一步扩大市场份额。在KrF/ArF光刻胶领域,北京科华的248nmKrF光刻胶已进入国内先进的集成电路制造万博登录网页供应链。
       综合所述,首先,光刻胶等技术壁垒极高的行业,实现技术层面的突破是基础;其次,需不断改进工艺,满足半导体行业快速发展的需要。由于光刻胶等行业认证时间较长,客户不会轻易更换供应商,因此进入主流供应链是极其必要的。未来,我国国内光刻胶生产商应抓住我国半导体行业产品采购需求转向国内的机遇,在受益国家产业政策支持的背景下,实现快速发展。

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